USB隨身碟讀不到，相機記憶卡在電腦磁碟管理抓不到，資料救援公司是如何救援出FLASH裡的資料?

2018-03-31

一般FLASH隨身碟，記憶卡儲存裝置，若電腦磁碟管理可以辨識到正確型號容量，使用HDTUNE壞軌檢測軟體作快速SCAN，能夠平順地快速完成檢測且結果全部呈現綠色，大多狀況為FLASH邏輯性故障問題居多，但若檢測過程有部份紅色色塊，或一接上電腦就會造成電腦當機，根本無法使用壞軌檢測軟體作快速SCAN，或測不到數秒就會離線抓不到, 此狀況多為隨身碟或記憶卡儲存資料的FLASH有BLOCK區塊損壞的問題, 類似硬碟壞軌的故障情況，此類狀況則須透過專業FLASH救援讀取設備，能支援控制電源POWER ON/OFF裝置才能順利完成救援。
 

 
 

 
還有一種常見送修狀況就是接上電腦，無法辨識到任何裝置或是磁碟管理可以出現槽位但沒有任何容量。此類則大多是FLASH物理性故障，一部份可透過電路上的檢測及修復去救援資料，但大部份情況多是須透過PC3000，FE，VNR等FLASH資料救援工具，手工分析才能對應出客戶指定資料。此三套不同工具強項及對不同的主控IC解碼的支援也約略不同，並沒有任何一套能百分百支援處理所有的主控晶片的方案，所以常須交叉應用。FE的讀取速度較快，SSD固態硬碟支援較佳，操作簡單方便, 部份新款或特殊主控演算法是PC3000沒有的, PC3000則是讀取晶片判讀正確，ECC校驗重讀效果不錯。因為後期隨身碟多是TLC晶片存在有品質不良的問題，可透過電壓調整去強制讀取, 另面對特殊型態的主控演算，PC3000可手工設定調整的應用是很強大，以下主要就FLASH物理性損壞的部份記。
 
以下就俄羅斯ACE 公司的PC3000 FLASH 跟大家分享FLASH手工分析救援的流程：
 
1.拆焊晶片:
一般客戶儲存資料的FLASH，拆焊過程最須留意的即是溫度，溫度過高容易讓FLASH晶片損壞或有BLOCK區塊損壞，造成客戶資料不完整或有破損的情況，所以不管是使用熱風槍, 電烙鐵或BGA回焊台, 皆須嚴格控管溫度, 並在第一時間就拆卸下FLASH晶片, 以求客戶資料損壞的風險降至最低。另拆焊下來後，FLASH尚須刮刀或電鉻鐵整理清潔TSOP晶片的針腳，避免針腳接觸不良或BGA晶片接點有殘錫造成高低不平整，就須使用吸錫線及電鉻鐵將殘錫處理乾淨，如此才能正確讀取出FLASH內容，若第一步驟FLASH就無法讀取或讀取錯誤，後續的分析根本無從就無法操作，另剛上市新款隨身碟，記憶卡多是讀取工具根本不支援的FLASH型號，如何去操作設定讀取又是須另一種處理方式，救援難度及費用相對也會比較高。

2.ECC校正:
由於FLASH在生產製造時，並沒有辦法保證所有FLASH內的BLOCK區塊皆不會有損壞，客戶使用過程中可能就會產生一些BLOCK區塊受損的情況，所以為了資料的可靠性及穩定性，就須要在FLASH中使用部份的小容量空間來存放ECC
( Error Checking Correction)的資訊(如附件二)，其中大部份ECC多會儲存在SA(SYSTEM AREA)軔體服務區的後面,但不同的主控IC，其編譯演算方式不同， 有的主控IC沒有是SA區的，有的每512sec，1024sec就會有段SA區+ECC區， 有的SA區只會出現在FLASH最後面的空間，而透過PC3000分析工具中的圖形， 我們就可以去手工分析並且去編譯建構FLASH的頁結構, 大部份FLASH架構多為多頁PAGE式的DATA區+SA區+ECC區。另讀取過程有些FLASH會有些Bit錯誤產生壞字節(附件三)，此部份也須人工一一刪除處理(PC3000自動修復功能易誤判不準確)，否則SA區或ECC區無法上下對正，造成搜查ECC失敗或XOR無法轉譯資料，遇到壞字節多又復雜且不易辨識的圖形,處理上會相當耗時。

 
 
 
3.Reread Sector磁區重讀:
由於現在廠商為降低成本。提高容量,現在多採用TLC晶片，來儲存客戶的資料，但其晶片的品質並不是非常的完善，除了會有些壞字節外造成磁區資料偏移，無法正確去作ECC或XOR的校驗工作,

 
 
另外按照一般標準電壓及程序去讀取，常會有部份容量的BLOCK區塊讀取出的內容出錯或損壞，所以須透過Reread Map Generator重讀BLOCK程序
 

 
針對不同的電壓去設定及讀取速度上作調整，
 

 
才能讓那些沒有通過校正的磁區完善，另有一些特殊主控須採用其他對應編譯方式去作重讀校正(附件5)。
 
有些時候FLASH品質不佳, 若要資料完善可能加強電壓重讀128GB的 FLASH就須跑個2,3星期之久, 
 
 
 
 
 
 
 
 
4.XOR異或編譯:
一般FLASH在沒有經過XOR轉譯前皆是呈現加密的狀況,此時須透過分析的程序，找出接近對應結構的XOR(附件6)，
 

 
 
磁區內容再能轉譯正常的圖形及資料(附件7)，
 

 
但不同的主控IC，有的須先作ECC後才能作XOR，有先一定要XOR才有辦法ECC，步驟順序錯誤資料也一定無法救援出來，須經驗累積判斷。
 
5.FLASH頁架構編輯:
 
FLASH分析大多為FAT32系統格式居多，後期及大容量的隨身碟才有較多人使用NTFS，EXFAT或少部份HFS格式，隨身碟及記憶卡真正的分析難度就從這裡開始，透過圖形上的判斷，可以了解FLASH的架構及資料區，SA區，ECC區之間的位置關係及大小，然後一一把分析運算出來的參數導入完成頁的編輯(附件8)，
 

 
再透過磁區內容去分析及判斷，

是否有須要作分離Split或Join結合，到底是DUMP，BLOCK，BYTE，BANK或PAGE的結合或分離也須分析判斷，當然尚有其他特殊型態的主控演算法或動態XOR須另行設定，操作設定相關的功能表如下，
 
 

 
 
 
 
一一手工分析設定好相關分析參數後, 才能完成一件FLASH案例的分析救援程序，
 

 
順利的話，就可看到客戶指定資料.，若不行又是一連續燒腦的分析判斷過程，或須轉換別套不同的FLASH救援工具再重頭讀取分析。
 
 
以上就是一般隨身碟，記憶卡等BGA-132，BGA-152，LGA-52，VBGA-100，TSOP-48&56 不同型態FLASH晶片的讀取及資料救援分析的過程，若是一體COB封包的晶片，例如像Mirco-sd卡，或超迷你隨身碟，大部份情況須拋光背面的電路，再使用示波器查看波形判斷找出RB#，RE#，CE#，CLE，ALE，WE#及各DATA I/O資料傳輸點的波形， 最後使用邏輯分析儀交叉測試去找出各I/O接點的順序排列組合。然後再一一焊接各接點至讀取座或使用Spider Board Adapter或其他Mirco SD，SD卡專用讀取裝置去設定讀取，此類晶片救援光是前置讀取出FLASH正確的內容就有很高的難度，若是救援手機中的Mirco SD卡, 有時救援出的資料尚有加密問題或新款主控晶片的ECC校正或XOR轉譯原廠尚未有支援方案, 花了許久時間也不一定能救援出資料所以一體COB封包FLASH資料救援的費用相對就會高出許多。